Hello大家好，我是你们亲爱的二狗砸

好久没在硬件区发帖了，之前呢，硬件区之前出过两篇小白@新手向的AMD内存超频教程，这次二狗子我给大家分享一下更进阶的超频教程！

前言：

BIOS的版本-CPUIMC（内存控制器）-内存颗粒/PCB-主板供电及内存布线-时序（CPU-SOC-内存）电压设置都会影响内存超频的能力在这些前提之前，也可以根据在系统内查看的数值记录（Ryzen Timing checker和DRAM-Calculator-for-Ryzen）或拍照下来，然后在进入BIOS进行适当的设置！

Processor：CPU类型

Memory Type ：内存颗粒

Memory Rank： 内存Rank单双面

Frequency（MT/s）：内存频率

DIMM Modules：内存数量

点击R-XMP→Calculate SAFE：即可看到推荐值，右边两项为快捷和极限推荐值，小白的话点击SAFE即可！

小提示：目前超频能力最强的就是顶级的Samsung B-die颗粒，3200频率的B-die为8层PCB，3600频率的B-die为10层PCB（超频能力要比8层PCB要强）

新手向超频及工具包如下：

内存超频新手教程@落地成盒（内存时序小参查询观看此帖）

内存选购与超频@菠萝包（颗粒查询及简单超频观看此帖）

绝地求生优化指南（内附XMP教程）（XMP是主板的内存超频预设文件，XMP原理请观看此帖）@我自己（滑稽）

超频工具包：内存超频-显卡超频-CPU超频工具包提取码：pkvq

超频配置：

BIOS版本：E7B89AMS.160

CPU：Ryzen5 2600 6C12T

散热：九州风神玄冰400

主板：AMD B450M MORTAR

内存：HOF 3600 8GX2

电源：航嘉Jumper 450bv

首先重启一直按键盘上的Delete键（有些主板进入BIOS按键不同，详情可查看主板说明书或者百度主板型号进入BIOS方法，一般都是Delete或者F2键进入BIOS）

选择高级内存配置，进行内存时序修改：（以下名称为B-die的均为Samsung B-die）

DRAM Frequency 就是内存频率的选择 我们这里选择为3400

简单的超频主要进行主时序修改即可，这个此帖开头有帖子教程

内存时序解析：

主时序：

TCL、TRCDRD、TRCDWR、TRP、TRAS、TRC

CAS Latency Control(tCL)是第一时序当中最重要的一项，数值越低延迟越小（性能越强）！

TRCDRD、TRCDWR、TRP、此三项建议设置为等值即可，也可以根据主板和内存颗粒（体质及PCB）适当缩减和提高

TRAS 建议不小于 TRCDRD和TCL之和 如14+14=28 则TRAS设置为28或在28的基础上+0-6（28-34）

副时序：

TRC 建议不小于 TRP和TRAS之和 如14+30=44 则TRC设置为44或在44的基础上+0-6（44-50）

TRCPAGE 使用主板默认值即可，或直接改为0

TRFC 此项也是影响内存带宽重要的选项，B-die建议值为300-380 Hynix-MFR-AFR（CJR在AMD平台上貌似超频能力很强，不过本人没有试验过所以不做评价） Samsung-C-die@D-die Micron-B-die及更低级颗粒建议值为400-480 根据频率和时序进行压缩或放宽

TWR@TWTRS@TWTRL 建议值TWTRS-TWR-TWTRL （4-12-12）适当缩减及提高

TRRDS@TRRDL 设置比例一般为：4-6 5-7 6-8 7-9或直接使用主板默认值

TRTP B-die建议值为8 其他颗粒推荐为8-12或使用主板默认值

TFAW 基于TRRDS的4倍值=最佳值 追求稳定一般是基于TRRDS的6倍值 不过测可增加参数

TCWL B-die建议值为12-14 其他颗粒推荐为14-16或使用主板默认值

TCKE B-die尽量设置为1，其他颗粒自行提高此参数数值

Turn Around 时序配置：

TRDRDSCL@TWRWRSCL 此两项也是影响内存带宽非常重要的选项，B-die尽可能设置为2，其他颗粒推荐为3-5

TRDRDSC@TWRWRSC 此两项一般设置为1即可

TRDRDSD@TRDRDDD B-die推荐值为4，其他颗粒推荐为5-7

TWRWRSC@TWRWRDD B-die推荐值为6-7，其他颗粒推荐为7-8

TWRRD B-die推荐值为3-4 其他颗粒推荐为4-5

Gear Down Mode 此项自动即可，若改CR（Command Rate）为2T无法生效，请设置为开启

Power Down Enable 此项应为内存节能选项，选择关闭

BankGroupSwap 此项设置为开启有助于提高内存带宽

内存终端阻值配置：

Proc ODT 超频3200频率可不用设置，频率大于3200可以根据建议值为53.3-60ohm

（RTT_NOM@RTT_WR_RTT_RAPK）这三项就不推荐了，怕小白玩坏，自动即可。

内存@SOC电压：

3000-3200电压推荐：DRAM电压为@1.32-1.36V SOC电压为@0.9-1.1V

3200-3466电压推荐：DRAM电压为@1.35-1.4V SOC电压为@1-1.15V

内存电压最大值不建议超过1.5，8层PCB建议最高不超1.45 10层PCB不超过1.5V ，SOC值建议不超过1.2V-1.3V，此两项电压根据频率和时序适当调节 不可太高 否则易损坏CPUIMC及主板/内存！

超完频后，进入系统打开Memtest测试，能过200%-300%无错误就表示超频成功！

由于之前忘记截图了，就放一个最先超频的跑测试吧，性能小参差不了多少

超频前：装完系统直接进系统跑的测试

超频后：CPU OC@4.1G 内存 3400 CL14

个人超频建议：在超频前，先讲内存电压改至1.4-1.45V，SOC改至1.1-1.15V，在此前提上确保不是因为电压不足而导致超频失败，超频成功后，在返回降电压即可。

如果你是B-die颗粒可以尝试用以上B-die的推荐值

重点时序为：主时序（TCL—TRCDWR—TRCDRD—TRP—TRAS—TRC）—TRFC—TRDRDSCL—TWRWRSCL—TCKE—TRDRD*—TWRWR*

B-die颗粒在锐龙平台上尽可能设置为C14，然后将其他时序放宽，也可以稍微降点频率超至C14，本文OC@3400CL14，8层PCB或10层PCB的B-die尽可能压缩至，3200-3400CL14。其他颗粒，仅次于B-die颗粒的条子，如果缩不到3200CL14这个门槛，可以放宽到，3333-3400CL15

如果超频失败，或者过不了测试，可以根据以上重点时序进行放宽，+1-4，则TFAW可放宽至34

以上就是AMD内存超频的解析和方法了，有任何疑问可以在本帖留言，或者到硬件区发帖咨询。

特别鸣谢：阿泽的空调君，女月风，东篱，要一个大姐姐，狗van，王埔，左老狗（Left），君临，鹿头（苏安瑾），憨八龟（甘道夫），寒夜gg（夜寒），哇（口土土，口圭，吐土），海龟（海中之龟），阿然，菠萝包，诩大宝，coooold，吴瓜皮，狗厌离（硬件区丢人版务）等弟弟们（大佬们）的大力支持（小声bb）

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作者：林二狗 原创

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